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該產(chǎn)品采用H橋電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，內(nèi)部集成N溝道和P溝道功率MOSFET雙向互動，特別適合驅(qū)動(dòng)線圈集成技術、馬達(dá)等感性負(fù)載。電路內(nèi)部集成過溫保護(hù)生產效率，當(dāng)電路內(nèi)部溫度超過設(shè)定值時(shí)創新的技術，關(guān)斷負(fù)載電流。當(dāng)電路的結(jié)溫下降到預(yù)設(shè)溫度時(shí)更合理，電路返回正常工作狀態(tài)有序推進；但電路不具有短路保護(hù)功能，當(dāng)輸出對地短路、輸出對電源短路表示、輸出端短路時(shí)易導(dǎo)致電路損壞，使用時(shí)應(yīng)避免發(fā)生短路緊迫性，或者加入限流措施避免發(fā)生類似損壞質生產力。邏輯控制電源VCC與功率電源VDD內(nèi)部完全獨(dú)立，實(shí)際使用中應(yīng)分開布線非常激烈，禁止將VCC與VDD直接接到一起提升行動，以防止VDD高壓對電路VCC端造成損傷。在電子鎖等應(yīng)用中技術交流，當(dāng)邏輯輸入信號INA\INB的高電平電壓大于2.4V時(shí)交流，VCC可以懸空引人註目。

該產(chǎn)品采用H橋電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用高可靠性功率管工藝溝通協調，特別適合驅(qū)動(dòng)線圈拓展、馬達(dá)等感性負(fù)載。電路內(nèi)部集成N溝道和P溝道功率MOSFET發展，工作電壓范圍覆蓋2V到8V。27℃，VDD=6.5V條件下持續(xù)輸出電流達(dá)到0.8A推進一步，峰值輸出電流達(dá)到1A探索創新。該單路為功率器件，本身具備一定內(nèi)阻帶動擴大，電路的發(fā)熱與負(fù)載電流前來體驗、功率管導(dǎo)通內(nèi)阻以及環(huán)境溫度密切相關(guān)。電路設(shè)計(jì)有芯片級溫度檢測電路實現了超越，實(shí)時(shí)監(jiān)控芯片內(nèi)部發(fā)熱發揮重要帶動作用，當(dāng)芯片內(nèi)部溫度超過設(shè)定值時(shí)(典型值150℃)，產(chǎn)生功率管關(guān)斷信號確定性，關(guān)閉負(fù)載電流明確了方向，避免因異常使用導(dǎo)致的溫度持續(xù)升高，進(jìn)而造成塑料封裝冒煙意料之外、起火等嚴(yán)重**事故必然趨勢。芯片內(nèi)置的溫度遲滯電路，確保電路恢復(fù)到**溫度后橋梁作用，才允許重新對功率管進(jìn)行控制效高。

概述:CP3005M是一款集成了鋰電池充電管理模塊、馬達(dá)輸出控制模塊和保護(hù)模塊的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片優化程度，關(guān)機(jī)待機(jī)電流僅5uA廣度和深度。CP3005M充電電流為0.6A，輸出電流為1.2A基礎，也可以通過外擴(kuò)PMOS管實(shí)現(xiàn)大于1.2A的應(yīng)用場合日漸深入。

概述: CP3006M是一款集成了鋰電池充電管理模塊、馬達(dá)輸出控制模塊和保護(hù)模塊的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)芯片引領作用，關(guān)機(jī)待機(jī)電流僅5uA廣泛關註。 CP3006M充電電流可高達(dá)1A，輸出電流為1.6A，也可以通過外擴(kuò)PMOS管實(shí)現(xiàn)大于1.6A的應(yīng)用場合。