該產(chǎn)品采用H橋電路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，采用高可靠性功率管工藝共享，特別適合驅(qū)動(dòng)線圈高端化、馬達(dá)等感性負(fù)載。電路內(nèi)部集成N溝道和P溝道功率MOSFET姿勢，工作電壓范圍覆蓋2V到8V充分發揮。27℃，VDD=6.5V條件下持續(xù)輸出電流達(dá)到0.8A重要平臺，峰值輸出電流達(dá)到1A相互融合。該單路為功率器件，本身具備一定內(nèi)阻生動，電路的發(fā)熱與負(fù)載電流提單產、功率管導(dǎo)通內(nèi)阻以及環(huán)境溫度密切相關(guān)核心技術。電路設(shè)計(jì)有芯片級(jí)溫度檢測(cè)電路，實(shí)時(shí)監(jiān)控芯片內(nèi)部發(fā)熱的特性，當(dāng)芯片內(nèi)部溫度超過設(shè)定值時(shí)(典型值150℃)競爭力所在，產(chǎn)生功率管關(guān)斷信號(hào)能力建設，關(guān)閉負(fù)載電流高效，避免因異常使用導(dǎo)致的溫度持續(xù)升高，進(jìn)而造成塑料封裝冒煙基礎、起火等嚴(yán)重**事故領域。芯片內(nèi)置的溫度遲滯電路，確保電路恢復(fù)到**溫度后要素配置改革，才允許重新對(duì)功率管進(jìn)行控制。

特性:

      低待機(jī)電流(小于0.1uA)

      低導(dǎo)通內(nèi)阻MOSFET功率開關(guān)管

      采用MOS工藝設(shè)計(jì)功率管

     100毫安通道功率管內(nèi)阻0.5歐姆

     500毫安通道功率管內(nèi)阻0.7歐姆

     內(nèi)部集成續(xù)流二極管—無需外接續(xù)流二極管

     超小型封裝尺寸:采用SOT23-6封裝,含引腳外形尺寸2.92mm*2.8mm。

應(yīng)用:

      遙控玩具飛機(jī)

      尾翼馬達(dá)驅(qū)動(dòng)

      遙控玩具飛機(jī)舵機(jī)

      馬達(dá)驅(qū)動(dòng)玩具

      直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)數(shù)碼產(chǎn)品的馬達(dá)驅(qū)動(dòng)

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