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概述?CHA254S92是一顆微功耗提升、高靈敏度S極單極性的霍爾開(kāi)關(guān)傳感裝置影響。CHA254S92內(nèi)部電路包含了霍爾薄片、電壓穩(wěn)壓模塊競爭力、信號(hào)放大處理模塊製高點項目、動(dòng)態(tài)失調(diào)消除模塊、鎖存模塊以及CMOS輸出級(jí)的過程中。由于CHA254S92使用先進(jìn)的Bi-CMOS工藝物聯與互聯，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋範圍和領域。產(chǎn)品采用了動(dòng)態(tài)失調(diào)消除技術(shù)取得了一定進展，該技術(shù)能夠消除由封裝應(yīng)力，熱應(yīng)力形式，以及溫度梯度所造成的失調(diào)電壓供給，提高器件的一致性。同時(shí)該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝便利性，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。CHA254S92使用插件TO-92S封裝非常重要，工作溫度范圍為-20~85°C實事求是。

CHA254S55是一顆微功耗、高靈敏度S極單極性的霍爾開(kāi)關(guān)傳感裝置行動力。CHA254S55內(nèi)部電路包含了霍爾薄片結構、電壓穩(wěn)壓模塊、信號(hào)放大處理模塊落到實處、動(dòng)態(tài)失調(diào)消除模塊效果、鎖存模塊以及CMOS輸出級(jí)。由于CHA254S55使用先進(jìn)的Bi-CMOS工藝營造一處，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)服務水平，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋。產(chǎn)品采用了動(dòng)態(tài)失調(diào)消除技術(shù)保供，該技術(shù)能夠消除由封裝應(yīng)力能力建設，熱應(yīng)力，以及溫度梯度所造成的失調(diào)電壓技術創新，提高器件的一致性醒悟。同時(shí)該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝進行部署，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。CHA254S55使用縮小型貼片SOT-553封裝新模式，工作溫度范圍為-20~85°C重要作用。

CHA254N92是一顆微功耗、高靈敏度N極單極性的霍爾開(kāi)關(guān)傳感裝置應用情況。CHA254N92內(nèi)部電路包含了霍爾薄片很重要、電壓穩(wěn)壓模塊、信號(hào)放大處理模塊能運用、動(dòng)態(tài)失調(diào)消除模塊利用好、鎖存模塊以及CMOS輸出級(jí)。由于CHA254N92使用先進(jìn)的Bi-CMOS工藝講理論，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)有望，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋。產(chǎn)品采用了動(dòng)態(tài)失調(diào)消除技術(shù)提供深度撮合服務，該技術(shù)能夠消除由封裝應(yīng)力深刻內涵，熱應(yīng)力，以及溫度梯度所造成的失調(diào)電壓最為突出，提高器件的一致性逐步改善。同時(shí)該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。CHA254N92使用插件TO-92S封裝落實落細，工作溫度范圍為-20~85°C。

概述?CHA254N是一顆微功耗組成部分、高靈敏度S極單極性的霍爾開(kāi)關(guān)傳感裝置深入闡釋。CHA254N內(nèi)部電路包含了霍爾薄片、電壓穩(wěn)壓模塊高效化、信號(hào)放大處理模塊大大提高、動(dòng)態(tài)失調(diào)消除模塊、鎖存模塊以及CMOS輸出級(jí)完成的事情。由于CHA254N使用先進(jìn)的Bi-CMOS工藝調整推進，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋研究成果。產(chǎn)品采用了動(dòng)態(tài)失調(diào)消除技術(shù)發展契機，該技術(shù)能夠消除由封裝應(yīng)力，熱應(yīng)力兩個角度入手，以及溫度梯度所造成的失調(diào)電壓關註點，提高器件的一致性。同時(shí)該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)建強保護。CHA254N使用縮小型貼片SOT-23封裝服務好，工作溫度范圍為-20~85°C。

CHA214NS是一顆微功耗流動性、高頻高靈敏度全極性效高化、并具有閂鎖輸出的霍爾開(kāi)關(guān)傳感裝置，可直接取代傳統(tǒng)的磁簧開(kāi)關(guān)反應能力。特別適用于使用電池電源的便攜式電子產(chǎn)品部署安排，如行動(dòng)電話、無(wú)刷電機(jī)投入力度、筆記型電腦、PDA等。CHA214NS內(nèi)部電路包含了霍爾薄片切實把製度、電壓穩(wěn)壓模塊優化上下、信號(hào)放大處理模塊、動(dòng)態(tài)失調(diào)消除模塊最新、鎖存模塊以及CMOS輸出級(jí)發揮重要作用。由于CHA214NS使用先進(jìn)的Bi-CMOS工藝，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)模樣，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋取得顯著成效。同時(shí)該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)數據顯示。CHA214NS使用插件TO-92S封裝責任，工作溫度范圍為-40~150℃。

CHA205NS是一顆高頻率實現、高靈敏度全極性增多、并具有閂鎖輸出的霍爾開(kāi)關(guān)傳感裝置，可直接取代傳統(tǒng)的磁簧開(kāi)關(guān)。特別適用于使用電池電源的便攜式電子產(chǎn)品，如行動(dòng)電話活動上、無(wú)刷電機(jī)達到、筆記型電腦、PDA等大型。CHA205NS內(nèi)部電路包含了霍爾薄片的可能性、電壓穩(wěn)壓模塊、信號(hào)放大處理模塊不可缺少、動(dòng)態(tài)失調(diào)消除模塊系列、鎖存模塊以及CMOS輸出級(jí)。由于CHA205NS使用先進(jìn)的Bi-CMOS工藝服務為一體，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)方案，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋特點。同時(shí)該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)統籌發展。CHA205NS為SOT-23封裝品質，工作溫度范圍為-40~150℃。