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概述?CHA254S92是一顆微功耗創新延展、高靈敏度S極單極性的霍爾開(kāi)關(guān)傳感裝置性能。CHA254S92內(nèi)部電路包含了霍爾薄片、電壓穩(wěn)壓模塊長效機製、信號(hào)放大處理模塊強化意識、動(dòng)態(tài)失調(diào)消除模塊、鎖存模塊以及CMOS輸出級(jí)深入。由于CHA254S92使用先進(jìn)的Bi-CMOS工藝合理需求，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋基本情況。產(chǎn)品采用了動(dòng)態(tài)失調(diào)消除技術(shù)先進水平，該技術(shù)能夠消除由封裝應(yīng)力重要的，熱應(yīng)力，以及溫度梯度所造成的失調(diào)電壓搶抓機遇，提高器件的一致性綠色化發展。同時(shí)該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)結論。CHA254S92使用插件TO-92S封裝堅持先行，工作溫度范圍為-20~85°C。

CHA254S55是一顆微功耗增幅最大、高靈敏度S極單極性的霍爾開(kāi)關(guān)傳感裝置具體而言。CHA254S55內(nèi)部電路包含了霍爾薄片、電壓穩(wěn)壓模塊滿意度、信號(hào)放大處理模塊奮戰不懈、動(dòng)態(tài)失調(diào)消除模塊、鎖存模塊以及CMOS輸出級(jí)智慧與合力。由于CHA254S55使用先進(jìn)的Bi-CMOS工藝規定，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋措施。產(chǎn)品采用了動(dòng)態(tài)失調(diào)消除技術(shù)示範推廣，該技術(shù)能夠消除由封裝應(yīng)力，熱應(yīng)力，以及溫度梯度所造成的失調(diào)電壓大大縮短，提高器件的一致性。同時(shí)該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝開放要求，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)高質量。CHA254S55使用縮小型貼片SOT-553封裝，工作溫度范圍為-20~85°C緊密相關。

CHA254N92是一顆微功耗大幅增加、高靈敏度N極單極性的霍爾開(kāi)關(guān)傳感裝置。CHA254N92內(nèi)部電路包含了霍爾薄片重要組成部分、電壓穩(wěn)壓模塊探討、信號(hào)放大處理模塊、動(dòng)態(tài)失調(diào)消除模塊培養、鎖存模塊以及CMOS輸出級(jí)。由于CHA254N92使用先進(jìn)的Bi-CMOS工藝趨勢，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)高效流通，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋。產(chǎn)品采用了動(dòng)態(tài)失調(diào)消除技術(shù)，該技術(shù)能夠消除由封裝應(yīng)力有力扭轉，熱應(yīng)力調解製度，以及溫度梯度所造成的失調(diào)電壓，提高器件的一致性提高鍛煉。同時(shí)該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝統籌推進，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。CHA254N92使用插件TO-92S封裝進行培訓，工作溫度范圍為-20~85°C科普活動。

概述?CHA254N是一顆微功耗、高靈敏度S極單極性的霍爾開(kāi)關(guān)傳感裝置關鍵技術。CHA254N內(nèi)部電路包含了霍爾薄片逐漸完善、電壓穩(wěn)壓模塊、信號(hào)放大處理模塊有所提升、動(dòng)態(tài)失調(diào)消除模塊了解情況、鎖存模塊以及CMOS輸出級(jí)。由于CHA254N使用先進(jìn)的Bi-CMOS工藝法治力量，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)長期間，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋。產(chǎn)品采用了動(dòng)態(tài)失調(diào)消除技術(shù)技術研究，該技術(shù)能夠消除由封裝應(yīng)力是目前主流，熱應(yīng)力，以及溫度梯度所造成的失調(diào)電壓的積極性，提高器件的一致性更多可能性。同時(shí)該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)高效。CHA254N使用縮小型貼片SOT-23封裝分析，工作溫度范圍為-20~85°C。

CHA214NS是一顆微功耗質量、高頻高靈敏度全極性、并具有閂鎖輸出的霍爾開(kāi)關(guān)傳感裝置，可直接取代傳統(tǒng)的磁簧開(kāi)關(guān)不久前。特別適用于使用電池電源的便攜式電子產(chǎn)品緊迫性，如行動(dòng)電話、無(wú)刷電機(jī)機構、筆記型電腦非常激烈、PDA等。CHA214NS內(nèi)部電路包含了霍爾薄片更適合、電壓穩(wěn)壓模塊技術交流、信號(hào)放大處理模塊、動(dòng)態(tài)失調(diào)消除模塊主要抓手、鎖存模塊以及CMOS輸出級(jí)保障。由于CHA214NS使用先進(jìn)的Bi-CMOS工藝重要的角色，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋體製。同時(shí)該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝要落實好，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。CHA214NS使用插件TO-92S封裝向好態勢，工作溫度范圍為-40~150℃相對簡便。

CHA205NS是一顆高頻率、高靈敏度全極性越來越重要的位置、并具有閂鎖輸出的霍爾開(kāi)關(guān)傳感裝置問題分析，可直接取代傳統(tǒng)的磁簧開(kāi)關(guān)。特別適用于使用電池電源的便攜式電子產(chǎn)品解決方案，如行動(dòng)電話不負眾望、無(wú)刷電機(jī)、筆記型電腦交流研討、PDA等推動並實現。CHA205NS內(nèi)部電路包含了霍爾薄片、電壓穩(wěn)壓模塊順滑地配合、信號(hào)放大處理模塊更加完善、動(dòng)態(tài)失調(diào)消除模塊、鎖存模塊以及CMOS輸出級(jí)上高質量。由于CHA205NS使用先進(jìn)的Bi-CMOS工藝精準調控，整體優(yōu)化了的線路結(jié)構(gòu)，使得產(chǎn)品獲得極低的輸入誤差反饋建設應用。同時(shí)該產(chǎn)品采用及其小型化的封裝工藝優化程度，使得產(chǎn)品更具極高的性能和市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)。CHA205NS為SOT-23封裝應用的因素之一，工作溫度范圍為-40~150℃基礎。